NAND & NOR

Flash Memory?

플래시 메모리(Flash Memory)는 비휘발성 메모리의 한 유형으로, 데이터를 저장하고 검색하는 데 사용되는 전자식 기억 장치입니다.

주로 컴퓨터, 디지털 카메라, 휴대전화, USB 플래시 드라이브 등 다양한 전자 기기에서 사용됩니다

CMOS

NAND, NOR의 기반인 집적 회로의 일종입니다. MOSFET의 P채널 트랜지스터(PMOS)와 N채널 트랜지스터(NMOS)가 접합된 상보 회로방식으로 구성 되어있습니다.

집적도가 높고 소비전력이 매우 적다는 이점을 가지고 있습니다.

각 트랜지스터는 게이트, 소스, 드레인의 세가지 구성 요소로 구성되어 있습니다. 게이트에 전압이 가해지면 전기장이 생성되어 소스와 드레인 사이의 흐름을 제어합니다.

NMOS 의 경우 인가된 게이트 전압이 소스에서 드레인으로 전자의 흐름을 허용합니다. PMOS 의 경우 인가된 게이트 전압이 트랜지스터를 꺼 전자의 흐름을 방지합니다

NOR ?

NOR 플래시 메모리는 비 휘발성 스토리지 기술로 데이터 유지에 전력이 필요하지 않습니다.

빠른 무작위 접근시간이 특징이며, 모든 주소에서 상대적으로 적은양의 데이터를 빠르게 읽을 수 있습니다. 메모리에서 소스코드를 직접 실행할 수 있으므로 펌웨어&부트로더 에 사용됩니다.

NOR 게이트는 두 개의 NMOS&PMOS 트랜지스터의 출력을 결합하여 구성됩니다 두 개의 구성 요소가 직렬로 연결되며, 각 구성 요소는 두 개의 트랜지스터로 구성됩니다

위 회로처럼 2개의 입력과 1개의 출력이 있을때, 입력중 적어도 하나가 높게 설정되면 NMOS 트랜지스터는 꺼지고 PMOST 트랜지스터가 켜져 출력 전압이 낮아집니다.

반대로 두 입력이 모두 낮으면 두 PMOS가 모두 꺼지고 NMOS트랜지스터가 열려 출력 전압이 높아집니다.

NAND ?

대용량 저장 장치가 필요한 어플리케이션에 널리 사용됩니다. 일반적으로 NOR보다 느리고 소량의 랜덤 액세스에 적합하지 않습니다.

NAND 게이트는 두 개의 NMOS&PMOS 트랜지스터의 출력을 결합하여 구성됩니다. 두 개의 구성요소가 직렬로 연결되며 각 두개의 트랜지스터로 구성됩니다.

위 회로처럼 2개의 입력과 1개의 출력이 있을때, 입력중 적어도 하나가 낮게 설정되면 PMOS는 전도성이 되고 NMOS는 꺼져 출력 전압이 높아집니다.

두 입력이 모두 높으면 두 PMOS가 전부 개방되고 NMOS가 전도성이 되어 출력 전압이 낮아집니다.

비교

속도

NAND 메모리는 한 번에 전체 데이터 페이지를 읽거나, 써야 하기 때문에 전송 속도는 데이터의 양에 따라 달라집니다.

NOR 메모리는 NAND에 비해 쓰기&삭제 속도가 느리기 때문에 대용량 데이터를 전송하는 데 시간이 오래 걸릴 수 있습니다.

수명

NOR은 개별 메모리 셀을 사용하여 데이터를 저장하고, NAND는 여러 페이지간 메모리 셀을 공유 하기 때문에 일반적으로 NOR의 수명이 더 깁니다.